Memoria EPROM
Está
formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide
Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los
cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una
EPROM sin grabar se lee como FF en todas sus celdas). Se programan
mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los
normalmente utilizados en los circuitos electrónicos.
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